TPN19008QM,LQ
MOSFET N-CH 80V 34A 8TSON
Número da pe?a NOVA:
312-2276107-TPN19008QM,LQ
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TPN19008QM,LQ
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 80 V 34A (Tc) 630mW (Ta), 57W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 175°C | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-TSON Advance (3.1x3.1) | |
| Número do produto base | TPN19008 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | U-MOSX-H | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 34A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 17A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 80 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 40 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 630mW (Ta), 57W (Tc) | |
| Outros nomes | 264-TPN19008QMLQTR 264-TPN19008QMLQDKR TPN19008QM,LQ(S 264-TPN19008QMLQCT |
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