SQ2301ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
Número da pe?a NOVA:
312-2284983-SQ2301ES-T1_GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SQ2301ES-T1_GE3
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 20 V 3.9A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount TO-236 (SOT-23)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TA) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-236 (SOT-23) | |
| Número do produto base | SQ2301 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 3.9A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 2.8A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 425 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 3W (Tc) | |
| Outros nomes | 742-SQ2301ES-T1_GE3DKR 742-SQ2301ES-T1_GE3CT SQ2301ES-T1_GE3CT 742-SQ2301ES-T1_GE3TR SQ2301ES-T1_GE3TR SQ2301ES-T1_GE3TR-ND SQ2301ES-T1_GE3CT-ND |
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