TPN4R806PL,L1Q
MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON
Número da pe?a NOVA:
312-2281987-TPN4R806PL,L1Q
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TPN4R806PL,L1Q
Embalagem padr?o:
5,000
Ficha técnica:
N-Channel 60 V 72A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 175°C | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-TSON Advance (3.1x3.1) | |
| Número do produto base | TPN4R806 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | U-MOSIX-H | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 72A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 36A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 300µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2770 pF @ 30 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 630mW (Ta), 104W (Tc) | |
| Outros nomes | 264-TPN4R806PLL1QTR 264-TPN4R806PLL1QCT 264-TPN4R806PLL1QDKR TPN4R806PL,L1Q(M |
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