TK2R4A08QM,S4X
UMOS10 TO-220SIS 80V 2.4MOHM
Número da pe?a NOVA:
312-2271086-TK2R4A08QM,S4X
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TK2R4A08QM,S4X
Embalagem padr?o:
50
Ficha técnica:
N-Channel 80 V 100A (Tc) 47W (Tc) Through Hole TO-220SIS
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | 175°C | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-220SIS | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | U-MOSX-H | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.44mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 2.2mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 179 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-220-3 Full Pack | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 80 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 13000 pF @ 40 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 47W (Tc) | |
| Outros nomes | 264-TK2R4A08QMS4X 264-TK2R4A08QM,S4X-ND 264-TK2R4A08QM,S4X TK2R4A08QM,S4X(S |
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