TK2R4E08QM,S1X
UMOS10 TO-220AB 80V 2.4MOHM
Número da pe?a NOVA:
312-2270919-TK2R4E08QM,S1X
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TK2R4E08QM,S1X
Embalagem padr?o:
50
Ficha técnica:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | 175°C | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-220 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | U-MOSX-H | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 120A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.44mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 2.2mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 178 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-220-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 80 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 13000 pF @ 40 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 300W (Tc) | |
| Outros nomes | TK2R4E08QM,S1X(S 264-TK2R4E08QMS1X 264-TK2R4E08QM,S1X 264-TK2R4E08QM,S1X-ND |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
TK2R4A08QM,S4XToshiba Semiconductor and Storage