TK100A08N1,S4X
MOSFET N-CH 80V 100A TO220SIS
Número da pe?a NOVA:
312-2293243-TK100A08N1,S4X
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TK100A08N1,S4X
Embalagem padr?o:
50
Ficha técnica:
N-Channel 80 V 100A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-220SIS | |
| Número do produto base | TK100A08 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | U-MOSVIII-H | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-220-3 Full Pack | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 80 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9000 pF @ 40 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 45W (Tc) | |
| Outros nomes | TK100A08N1,S4X(S TK100A08N1,S4X-ND TK100A08N1S4X |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
TK3R2A08QM,S4XToshiba Semiconductor and Storage- TK2R4A08QM,S4XToshiba Semiconductor and Storage
- TK5R1A08QM,S4XToshiba Semiconductor and Storage
PCV1H470MCL1GSNichicon
REF5025AIDGKRTexas Instruments
SK220ATRSMC Diode Solutions
