SQ3585EV-T1_GE3
MOSFET N/P-CH 20V 6TSOP
Número da pe?a NOVA:
303-2251987-SQ3585EV-T1_GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SQ3585EV-T1_GE3
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.57A (Tc), 2.5A (Tc) 1.67W Surface Mount 6-TSOP
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 6-TSOP | |
| Número do produto base | SQ3585 | |
| Pacote / Estojo | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 3.57A (Tc), 2.5A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 77mOhm @ 1A, 4.5V, 166mOhm @ 1A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 4.5V, 3.5nC @ 4.5V | |
| Recurso FET | Standard | |
| Tipo FET | N and P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - | |
| Potência - Máx. | 1.67W | |
| Outros nomes | SQ3585EV-T1_GE3-ND SQ3585EV-T1_GE3TR SQ3585EV-T1_GE3DKR SQ3585EV-T1_GE3CT |
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