SQ4532AEY-T1

SQ4532AEY-T1_GE3

MOSFET N/P-CH 30V 7.3/5.3A 8SOIC

Número da pe?a NOVA:

303-2249993-SQ4532AEY-T1_GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SQ4532AEY-T1_GE3

Embalagem padr?o:

2,500

Ficha técnica:

Mosfet Array N and P-Channel 30V 7.3A (Tc), 5.3A (Tc) 3.3W Surface Mount 8-SOIC

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	8-SOIC
Número do produto base	SQ4532
Pacote / Estojo	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	7.3A (Tc), 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V
Recurso FET	Standard
Tipo FET	N and P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	30V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	535pF @ 15V, 528pF @ 15V
Potência - Máx.	3.3W
Outros nomes	SQ4532AEY-T1_GE3CT SQ4532AEY-T1_GE3-ND SQ4532AEY-T1_GE3TR SQ4532AEY-T1_GE3DKR

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