SI3585CDV-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP

Número da pe?a NOVA:

303-2361132-SI3585CDV-T1-GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SI3585CDV-T1-GE3

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.9A, 2.1A 1.4W, 1.3W Surface Mount 6-TSOP

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	6-TSOP
Número do produto base	SI3585
Pacote / Estojo	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Series	TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	3.9A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	58mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	4.8nC @ 10V
Recurso FET	Logic Level Gate
Tipo FET	N and P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	150pF @ 10V
Potência - Máx.	1.4W, 1.3W
Outros nomes	SI3585CDV-T1-GE3-ND SI3585CDV-T1-GE3TR SI3585CDV-T1-GE3CT SI3585CDV-T1-GE3DKR

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