SQ1922EEH-T1

SQ1922EEH-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 20V SC70-6

Número da pe?a NOVA:

303-2251363-SQ1922EEH-T1_GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SQ1922EEH-T1_GE3

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 840mA (Tc) 1.5W Surface Mount SC-70-6

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	SC-70-6
Número do produto base	SQ1922
Pacote / Estojo	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	840mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	350mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	1.2nC @ 4.5V
Recurso FET	Standard
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 10V
Potência - Máx.	1.5W
Outros nomes	SQ1922EEH-T1_GE3TR SQ1922EEH-T1_GE3DKR SQ1922EEH-T1_GE3CT SQ1922EEH-T1_GE3-ND

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