SIZ270DT-T1-GE3

DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFE

Número da pe?a NOVA:

303-2242476-SIZ270DT-T1-GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SIZ270DT-T1-GE3

Embalagem padr?o:

3,000

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc) 4.3W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (3.3x3.3)

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	8-PowerPair® (3.3x3.3)
Número do produto base	SIZ270
Pacote / Estojo	8-PowerWDFN
Series	TrenchFET® Gen IV
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	37.7mOhm @ 7A, 10V, 39.4mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 10V
Recurso FET	Standard
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	100V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	860pF @ 50V, 845pF @ 50V
Potência - Máx.	4.3W (Ta), 33W (Tc)
Outros nomes	742-SIZ270DT-T1-GE3CT 742-SIZ270DT-T1-GE3DKR 742-SIZ270DT-T1-GE3TR

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