SIZ250DT-T1-GE3

MOSFET DUAL N-CH 60-V POWERPAIR

Número da pe?a NOVA:

303-2248760-SIZ250DT-T1-GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SIZ250DT-T1-GE3

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 14A (Ta), 38A (Tc) 4.3W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (3.3x3.3)

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	8-PowerPair® (3.3x3.3)
Número do produto base	SIZ250
Pacote / Estojo	8-PowerWDFN
Series	TrenchFET® Gen IV
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	14A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.2mOhm @ 10A, 10V, 12.7mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 10V
Recurso FET	Standard
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	60V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	840pF @ 30V, 790pF @ 30V
Potência - Máx.	4.3W (Ta), 33W (Tc)
Outros nomes	742-SIZ250DT-T1-GE3TR 742-SIZ250DT-T1-GE3DKR 742-SIZ250DT-T1-GE3CT

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