SQJQ910EL-T1_GE3
MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK8X8
Número da pe?a NOVA:
303-2250257-SQJQ910EL-T1_GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SQJQ910EL-T1_GE3
Embalagem padr?o:
2,000
Ficha técnica:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 70A (Tc) 187W Surface Mount PowerPAK® 8 x 8 Dual
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PowerPAK® 8 x 8 Dual | |
| Número do produto base | SQJQ910 | |
| Pacote / Estojo | PowerPAK® 8 x 8 Dual | |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 70A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 10V | |
| Recurso FET | Standard | |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2832pF @ 50V | |
| Potência - Máx. | 187W | |
| Outros nomes | SQJQ910EL-T1_GE3DKR SQJQ910EL-T1_GE3-ND SQJQ910EL-T1_GE3TR SQJQ910EL-T1_GE3CT |
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