SIZ918DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

Número da pe?a NOVA:

303-2247539-SIZ918DT-T1-GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SIZ918DT-T1-GE3

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 28A 29W, 100W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	8-PowerPair® (6x5)
Número do produto base	SIZ918
Pacote / Estojo	8-PowerWDFN
Series	TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	16A, 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 10V
Recurso FET	Logic Level Gate
Tipo FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	30V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	790pF @ 15V
Potência - Máx.	29W, 100W
Outros nomes	SIZ918DT-T1-GE3CT SIZ918DT-T1-GE3TR SIZ918DT-T1-GE3DKR SIZ918DTT1GE3

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