EPC2107

GANFET 3 N-CH 100V 9BGA

Número da pe?a NOVA:

303-2247466-EPC2107

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

EPC2107

Embalagem padr?o:

2,500

Ficha técnica:

Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 100V 1.7A, 500mA - Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Fabricante	EPC
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	9-BGA (1.35x1.35)
Pacote / Estojo	9-VFBGA
Series	eGaN®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Recurso FET	GaNFET (Gallium Nitride)
Tipo FET	3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	100V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Potência - Máx.	-
Outros nomes	917-1168-2 917-1168-1 917-1168-6

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