EPC2110

GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE

Número da pe?a NOVA:

303-2247424-EPC2110

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

EPC2110

Embalagem padr?o:

2,500

Ficha técnica:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 120V 3.4A - Die

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Fabricante	EPC
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-40°C ~ 150°C (TJ)
Pacote de dispositivos do fornecedor	Die
Pacote / Estojo	Die
Series	eGaN®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 700µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	0.8nC @ 5V
Recurso FET	GaNFET (Gallium Nitride)
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Common Source
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	120V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	80pF @ 60V
Potência - Máx.	-
Outros nomes	917-1152-6 917-1152-2 917-1152-1

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