EPC2103
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
Número da pe?a NOVA:
303-2243639-EPC2103
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
EPC2103
Embalagem padr?o:
500
Ficha técnica:
Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 28A - Surface Mount Die
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays | |
| Fabricante | EPC | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | Die | |
| Pacote / Estojo | Die | |
| Series | eGaN® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 28A | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 20A, 5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 7mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 5V | |
| Recurso FET | GaNFET (Gallium Nitride) | |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 80V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 40V | |
| Potência - Máx. | - | |
| Outros nomes | 917-1183-6 917-1183-2 917-1183-1 |
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