EPC2108
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
Número da pe?a NOVA:
303-2247908-EPC2108
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
EPC2108
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 60V, 100V 1.7A, 500mA - Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays | |
| Fabricante | EPC | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 9-BGA (1.35x1.35) | |
| Pacote / Estojo | 9-VFBGA | |
| Series | eGaN® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 1.7A, 500mA | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V | |
| Recurso FET | GaNFET (Gallium Nitride) | |
| Tipo FET | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60V, 100V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 22pF @ 30V, 7pF @ 30V | |
| Potência - Máx. | - | |
| Outros nomes | 917-1169-1 917-1169-2 917-1169-6 |
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