SQJB60EP-T1

SQJB60EP-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Número da pe?a NOVA:

303-2251480-SQJB60EP-T1_GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SQJB60EP-T1_GE3

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PowerPAK® SO-8 Dual
Número do produto base	SQJB60
Pacote / Estojo	PowerPAK® SO-8 Dual
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Recurso FET	Standard
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	60V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1600pF @ 25V
Potência - Máx.	48W
Outros nomes	SQJB60EP-T1_GE3CT SQJB60EP-T1_GE3DKR SQJB60EP-T1_GE3TR

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