SQJ958EP-T1_GE3
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Número da pe?a NOVA:
303-2251466-SQJ958EP-T1_GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SQJ958EP-T1_GE3
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A (Tc) 35W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PowerPAK® SO-8 Dual | |
| Número do produto base | SQJ958 | |
| Pacote / Estojo | PowerPAK® SO-8 Dual | |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 20A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34.9mOhm @ 4.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V | |
| Recurso FET | Standard | |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1075pF @ 30V | |
| Potência - Máx. | 35W | |
| Outros nomes | SQJ958EP-T1_GE3DKR SQJ958EP-T1_GE3CT SQJ958EP-T1_GE3TR SQJ958EP-T1_GE3-ND |
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