SQJ960EP-T1

SQJ960EP-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 60V 8A

Número da pe?a NOVA:

303-2247895-SQJ960EP-T1_GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SQJ960EP-T1_GE3

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 8A 34W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PowerPAK® SO-8 Dual
Número do produto base	SQJ960
Pacote / Estojo	PowerPAK® SO-8 Dual
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Recurso FET	Logic Level Gate
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	60V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	735pF @ 25V
Potência - Máx.	34W
Outros nomes	SQJ960EP-T1-GE3 SQJ960EP-T1_GE3DKR SQJ960EP-T1-GE3-ND SQJ960EP-T1_GE3CT SQJ960EP-T1_GE3TR

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