SCT2750NYTB
SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268
NOVA部品番号:
312-2263409-SCT2750NYTB
製造メーカー部品番号:
SCT2750NYTB
ひょうじゅんほうそう:
400
技術データシート:
N-Channel 1700 V 5.9A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount TO-268
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-268 | |
| 基本製品番号 | SCT2750 | |
| テクノロジー | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 5.9A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 18V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 975mOhm @ 1.7A, 18V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 630µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 17 nC @ 18 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | |
| Vgs (最大) | +22V, -6V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 1700 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 275 pF @ 800 V | |
| 消費電力(最大) | 57W (Tc) | |
| その他の名前 | SCT2750NYTBDKR SCT2750NYTBTR SCT2750NYTBCT |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
G2R1000MT17JGeneSiC Semiconductor
IXTA1N200P3HVIXYS
FQD2N100TMonsemi
MSC750SMA170SMicrochip Technology
SCT2H12NYTBRohm Semiconductor
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon Technologies- G3R160MT17JGeneSiC Semiconductor
G2R1000MT17DGeneSiC Semiconductor
TW070J120B,S1QToshiba Semiconductor and Storage- G3R450MT17JGeneSiC Semiconductor
LSIC1MO170E0750Littelfuse Inc.
C2M1000170JWolfspeed, Inc.