FQD2N100TM

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	onsemi
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	TO-252AA
基本製品番号	FQD2N100
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	QFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	1.6A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	9Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	15.5 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (最大)	±30V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	1000 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	520 pF @ 25 V
消費電力(最大)	2.5W (Ta), 50W (Tc)
その他の名前	FQD2N100TMTR FQD2N100TM-ND FQD2N100TMCT ONSONSFQD2N100TM 2156-FQD2N100TM-OS FQD2N100TMDKR