IXTA1N200P3HV

MOSFET N-CH 2000V 1A TO263
NOVA部品番号:
312-2361358-IXTA1N200P3HV
製造元:
製造メーカー部品番号:
IXTA1N200P3HV
ひょうじゅんほうそう:
50
技術データシート:

N-Channel 2000 V 1A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263AA

More Information
カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元IXYS
RoHS 1
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263AA
基本製品番号 IXTA1
テクノロジーMOSFET (Metal Oxide)
シリーズPolar P3™
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 1A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs 40Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID 4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 23.5 nC @ 10 V
FETの特徴-
パッケージ・ケースTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (最大)±20V
FETタイプN-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)2000 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 646 pF @ 25 V
消費電力(最大) 125W (Tc)

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