TW070J120B,S1Q
SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
NOVA部品番号:
312-2265040-TW070J120B,S1Q
製造メーカー部品番号:
TW070J120B,S1Q
ひょうじゅんほうそう:
25
N-Channel 1200 V 36A (Tc) 272W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C | |
| 取付タイプ | Through Hole | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-3P(N) | |
| 基本製品番号 | TW070J120 | |
| テクノロジー | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 36A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 20V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 90mOhm @ 18A, 20V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 5.8V @ 20mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 67 nC @ 20 V | |
| FETの特徴 | Standard | |
| パッケージ・ケース | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| Vgs (最大) | ±25V, -10V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 1200 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1680 pF @ 800 V | |
| 消費電力(最大) | 272W (Tc) | |
| その他の名前 | 264-TW070J120BS1Q |
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