TPH2R306NH1,LQ
UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
NOVA部品番号:
312-2296259-TPH2R306NH1,LQ
製造メーカー部品番号:
TPH2R306NH1,LQ
ひょうじゅんほうそう:
5,000
N-Channel 60 V 136A (Tc) 800mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | 150°C | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-SOP Advance (5x5.75) | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | U-MOSVIII-H | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 136A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 6.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 2.3mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 1mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 72 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 6100 pF @ 30 V | |
| 消費電力(最大) | 800mW (Ta), 170W (Tc) | |
| その他の名前 | 264-TPH2R306NH1LQDKR TPH2R306NH1,LQ(M 264-TPH2R306NH1,LQTR 264-TPH2R306NH1LQCT |
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