BSC012N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TSON-8
NOVA部品番号:
312-2283313-BSC012N06NSATMA1
製造メーカー部品番号:
BSC012N06NSATMA1
ひょうじゅんほうそう:
5,000
技術データシート:
N-Channel 60 V 36A (Ta), 306A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-3
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TSON-8-3 | |
| 基本製品番号 | BSC012 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 36A (Ta), 306A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 6V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 1.2mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3.3V @ 147µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 143 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 11000 pF @ 30 V | |
| 消費電力(最大) | 214W (Tc) | |
| その他の名前 | BSC012N06NSATMA1DKR SP001645312 BSC012N06NSATMA1TR BSC012N06NSATMA1-ND BSC012N06NSATMA1CT |
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