TPH1R306PL,L1Q
MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
NOVA部品番号:
312-2282790-TPH1R306PL,L1Q
製造メーカー部品番号:
TPH1R306PL,L1Q
ひょうじゅんほうそう:
5,000
技術データシート:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | 175°C | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-SOP Advance (5x5) | |
| 基本製品番号 | TPH1R306 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | U-MOSIX-H | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 1.34mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.5V @ 1mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 91 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 8100 pF @ 30 V | |
| 消費電力(最大) | 960mW (Ta), 170W (Tc) | |
| その他の名前 | 264-TPH1R306PLL1QCT TPH1R306PL,L1Q(M 264-TPH1R306PLL1QDKR 264-TPH1R306PLL1QTR |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
TPH2R306NH1,LQToshiba Semiconductor and Storage
TPH9R506PL,LQToshiba Semiconductor and Storage- TPH1R306P1,L1QToshiba Semiconductor and Storage
NTMTS001N06CLTXGonsemi
TPW1R306PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage- TPH1R306PL1,LQToshiba Semiconductor and Storage
FDMC007N08LConsemi
NTMFS5H600NLT1Gonsemi
SIR626ADP-T1-RE3Vishay Siliconix- TPH3R70APL,L1QToshiba Semiconductor and Storage
LTC4359IMS8#PBFAnalog Devices Inc.
