TPH2R408QM,L1Q

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	175°C
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	8-SOP Advance (5x5)
基本製品番号	TPH2R408
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	U-MOSX-H
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	120A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	6V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	2.43mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	3.5V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	87 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	8-PowerVDFN
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	80 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	8300 pF @ 40 V
消費電力(最大)	3W (Ta), 210W (Tc)
その他の名前	264-TPH2R408QML1QTR 264-TPH2R408QML1QCT 264-TPH2R408QML1QDKR TPH2R408QM,L1Q(M

In stock お問い合わせください

あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。

他にもお気に入りの製品が見つかりました！