NP100P06PDG-E1-AY

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Renesas Electronics America Inc
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	TO-263
基本製品番号	NP100P06
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	100A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	300 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	60 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	15000 pF @ 10 V
消費電力(最大)	1.8W (Ta), 200W (Tc)
その他の名前	NP100P06PDG-E1-AY-ND 559-NP100P06PDG-E1-AYCT -1161-NP100P06PDG-E1-AYCT 559-NP100P06PDG-E1-AYTR 559-NP100P06PDG-E1-AYDKR

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