SUM60061EL-GE3
P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET D2PA
NOVA部品番号:
312-2299059-SUM60061EL-GE3
製造元:
製造メーカー部品番号:
SUM60061EL-GE3
ひょうじゅんほうそう:
800
技術データシート:
P-Channel 80 V 150A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-263 (D²Pak) | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 150A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 6.1mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.5V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 218 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 80 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 9600 pF @ 40 V | |
| 消費電力(最大) | 375W (Tc) | |
| その他の名前 | 742-SUM60061EL-GE3 |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか?フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました!
- ATP304-TL-Honsemi
- LM7321MFE/NOPBTexas Instruments
- SUP60061EL-GE3Vishay Siliconix
- REF3318AIDBZRTexas Instruments
- MAX4624EZT-TAnalog Devices Inc./Maxim Integrated
- SQM120P10_10M1LGE3Vishay Siliconix
- IXTA120P065TIXYS
- SQM120P06-07L_GE3Vishay Siliconix
- SUM70101EL-GE3Vishay Siliconix
- FDC6330Lonsemi
- LM74610QDGKRQ1Texas Instruments
- SUM110P06-07L-E3Vishay Siliconix
- NP100P06PDG-E1-AYRenesas Electronics America Inc








