NP50P06KDG-E1-AY
MOSFET P-CH 60V 50A TO263
NOVA部品番号:
312-2288706-NP50P06KDG-E1-AY
製造メーカー部品番号:
NP50P06KDG-E1-AY
ひょうじゅんほうそう:
800
技術データシート:
P-Channel 60 V 50A (Tc) 1.8W (Ta), 90W (Tc) Surface Mount TO-263
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Renesas Electronics America Inc | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-263 | |
| 基本製品番号 | NP50P06 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 50A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 17mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.5V @ 1mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 95 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 5000 pF @ 10 V | |
| 消費電力(最大) | 1.8W (Ta), 90W (Tc) | |
| その他の名前 | 559-NP50P06KDG-E1-AYCT 559-NP50P06KDG-E1-AYTR 559-NP50P06KDG-E1-AYDKR NP50P06KDG-E1-AY-ND -1161-NP50P06KDG-E1-AYCT |
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