SQM110P06-8M9L_GE3
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
NOVA部品番号:
312-2288816-SQM110P06-8M9L_GE3
製造元:
製造メーカー部品番号:
SQM110P06-8M9L_GE3
ひょうじゅんほうそう:
800
技術データシート:
P-Channel 60 V 110A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-263 (D²Pak) | |
| 基本製品番号 | SQM110 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 110A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 8.9mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.5V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 200 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 7450 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 230W (Tc) | |
| その他の名前 | SQM110P06-8M9L_GE3-ND SQM110P06-8M9L_GE3TR SQM110P06-8M9L_GE3CT SQM110P06-8M9L_GE3DKR |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
IPB110P06LMATMA1Infineon Technologies
ATP304-TL-Honsemi
MMBTA56Q-7-FDiodes Incorporated
SQJQ480E-T1_GE3Vishay Siliconix- SUM70101EL-GE3Vishay Siliconix
SQM120P06-07L_GE3Vishay Siliconix- NP50P06KDG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
B360AM-13-FDiodes Incorporated