PSMN004-60B,118

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Nexperia USA Inc.
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	D2PAK
基本製品番号	PSMN004
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	TrenchMOS™
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	75A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	3.6mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	4V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	168 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	60 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	8300 pF @ 25 V
消費電力(最大)	230W (Tc)
その他の名前	1727-5267-6 1727-5267-2 1727-5267-1 PSMN004-60B /T3-ND 568-6592-1-ND 568-6592-2-ND 934057041118 PSMN00460B118 568-6592-6-ND PSMN004-60B /T3 568-6592-2 568-6592-1 PSMN004-60B,118-ND 568-6592-6