PSMN1R7-60BS,118

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Nexperia USA Inc.
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	D2PAK
基本製品番号	PSMN1R7
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	120A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	4V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	137 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	60 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	9997 pF @ 30 V
消費電力(最大)	306W (Tc)
その他の名前	1727-7106-2 1727-7106-1 568-9476-6 2156-PSMN1R7-60BS,118-NEX 568-9476-1 1727-7106-6 568-9476-2 NEXNEXPSMN1R7-60BS118 PSMN1R760BS118 568-9476-6-ND 934065175118 568-9476-2-ND 568-9476-1-ND