PSMN4R6-60BS,118
MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
NOVA部品番号:
312-2282185-PSMN4R6-60BS,118
製造メーカー部品番号:
PSMN4R6-60BS,118
ひょうじゅんほうそう:
800
技術データシート:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 211W (Tc) Surface Mount D2PAK
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | D2PAK | |
| 基本製品番号 | PSMN4R6 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 4.4mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 1mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 70.8 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 4426 pF @ 30 V | |
| 消費電力(最大) | 211W (Tc) | |
| その他の名前 | 934066334118 568-9492-2 PSMN4R660BS118 568-9492-1 1727-7122-1 1727-7122-2 568-9492-6 568-9492-6-ND 568-9492-1-ND 1727-7122-6 568-9492-2-ND |
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