SIZ270DT-T1-GE3

DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFE

NOVA部品番号:

303-2242476-SIZ270DT-T1-GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SIZ270DT-T1-GE3

ひょうじゅんほうそう:

3,000

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc) 4.3W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (3.3x3.3)

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	8-PowerPair® (3.3x3.3)
基本製品番号	SIZ270
パッケージ・ケース	8-PowerWDFN
シリーズ	TrenchFET® Gen IV
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	37.7mOhm @ 7A, 10V, 39.4mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	27nC @ 10V
FETの特徴	Standard
FETタイプ	2 N-Channel (Dual)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	100V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	860pF @ 50V, 845pF @ 50V
パワー - 最大	4.3W (Ta), 33W (Tc)
その他の名前	742-SIZ270DT-T1-GE3CT 742-SIZ270DT-T1-GE3DKR 742-SIZ270DT-T1-GE3TR

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