SI7942DP-T1-E3

MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8

NOVA部品番号:

303-2247952-SI7942DP-T1-E3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SI7942DP-T1-E3

ひょうじゅんほうそう:

3,000

技術データシート:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 3.8A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PowerPAK® SO-8 Dual
基本製品番号	SI7942
パッケージ・ケース	PowerPAK® SO-8 Dual
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	3.8A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	49mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	24nC @ 10V
FETの特徴	Logic Level Gate
FETタイプ	2 N-Channel (Dual)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	100V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	-
パワー - 最大	1.4W
その他の名前	SI7942DP-T1-E3DKR SI7942DP-T1-E3CT SI7942DP-T1-E3TR SI7942DPT1E3

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