SIZ250DT-T1-GE3

MOSFET DUAL N-CH 60-V POWERPAIR

NOVA部品番号:

303-2248760-SIZ250DT-T1-GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SIZ250DT-T1-GE3

ひょうじゅんほうそう:

3,000

技術データシート:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 14A (Ta), 38A (Tc) 4.3W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (3.3x3.3)

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	8-PowerPair® (3.3x3.3)
基本製品番号	SIZ250
パッケージ・ケース	8-PowerWDFN
シリーズ	TrenchFET® Gen IV
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	14A (Ta), 38A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	12.2mOhm @ 10A, 10V, 12.7mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	21nC @ 10V
FETの特徴	Standard
FETタイプ	2 N-Channel (Dual)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	60V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	840pF @ 30V, 790pF @ 30V
パワー - 最大	4.3W (Ta), 33W (Tc)
その他の名前	742-SIZ250DT-T1-GE3TR 742-SIZ250DT-T1-GE3DKR 742-SIZ250DT-T1-GE3CT

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