SIZ918DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

NOVA部品番号:

303-2247539-SIZ918DT-T1-GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SIZ918DT-T1-GE3

ひょうじゅんほうそう:

3,000

技術データシート:

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 28A 29W, 100W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	8-PowerPair® (6x5)
基本製品番号	SIZ918
パッケージ・ケース	8-PowerWDFN
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	16A, 28A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	12mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	21nC @ 10V
FETの特徴	Logic Level Gate
FETタイプ	2 N-Channel (Half Bridge)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	30V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	790pF @ 15V
パワー - 最大	29W, 100W
その他の名前	SIZ918DT-T1-GE3CT SIZ918DT-T1-GE3TR SIZ918DT-T1-GE3DKR SIZ918DTT1GE3

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