IPB80P04P4L04ATMA1

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-TO263-3-2
Numéro de produit de base	IPB80P04
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	80A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	176 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vg (Max)	±16V
Type FET	P-Channel
Tension drain à source (Vdss)	40 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3800 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale)	125W (Tc)
Autres noms	INFINFIPB80P04P4L04ATMA1 SP000840196 2156-IPB80P04P4L04ATMA1

In stock Veuillez nous contacter

Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.

Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!