IPB80P04P4L04ATMA2
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
NOVA partie #:
312-2288736-IPB80P04P4L04ATMA2
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IPB80P04P4L04ATMA2
Paquet Standard:
1,000
Fiche technique:
P-Channel 40 V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TO263-3-2 | |
| Numéro de produit de base | IPB80P04 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | OptiMOS®-P2 | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 80A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7mOhm @ 80A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 176 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vg (Max) | +5V, -16V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 40 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 11570 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 125W (Tc) | |
| Autres noms | 448-IPB80P04P4L04ATMA2DKR 448-IPB80P04P4L04ATMA2CT SP002325756 448-IPB80P04P4L04ATMA2TR |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
E101J1AV2QE2C&K
SIRA50DP-T1-RE3Vishay Siliconix
NP100P04PDG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
NP20P06SLG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
FDB9503L-F085onsemi
SBRT15U50SP5-7Diodes Incorporated- IPB80P04P4L06ATMA2Infineon Technologies
- TJ90S04M3L,LXHQToshiba Semiconductor and Storage
BTS500551TMAATMA1Infineon Technologies
