IPB80P04P4L06ATMA2

MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
NOVA partie #:
312-2288508-IPB80P04P4L06ATMA2
Pièce de fabricant non:
IPB80P04P4L06ATMA2
Paquet Standard:
1,000

P-Channel 40 V 80A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:Infineon Technologies
RoHS 1
emballageTape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur PG-TO263-3-2
Numéro de produit de base IPB80P04
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SérieOptiMOS®-P2
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 150µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 104 nC @ 10 V
Fonction FET-
Paquet/caisseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vg (Max)+5V, -16V
Type FETP-Channel
Tension drain à source (Vdss)40 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6580 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale) 88W (Tc)
Autres noms448-IPB80P04P4L06ATMA2TR
448-IPB80P04P4L06ATMA2CT
448-IPB80P04P4L06ATMA2DKR
SP002325754

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