NP100P04PDG-E1-AY
MOSFET P-CH 40V 100A TO263
NOVA partie #:
312-2289072-NP100P04PDG-E1-AY
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
NP100P04PDG-E1-AY
Paquet Standard:
800
Fiche technique:
P-Channel 40 V 100A (Tc) 1.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount TO-263
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Renesas Electronics America Inc | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-263 | |
| Numéro de produit de base | NP100P04 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 320 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 40 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 15100 pF @ 10 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 1.8W (Ta), 200W (Tc) | |
| Autres noms | 559-NP100P04PDG-E1-AYDKR -1161-NP100P04PDG-E1-AYCT 559-NP100P04PDG-E1-AYCT NP100P04PDG-E1-AY-ND 559-NP100P04PDG-E1-AYTR |
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