IPSA70R2K0P7SAKMA1
MOSFET N-CH 700V 3A TO251-3
Número de pieza NOVA:
312-2276638-IPSA70R2K0P7SAKMA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IPSA70R2K0P7SAKMA1
Embalaje estándar:
75
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 700 V 3A (Tc) 17.6W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-347
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO251-3-347 | |
| Número de producto base | IPSA70 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | CoolMOS™ P7 | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 3A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3.5V @ 30µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 3.8 nC @ 400 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-251-3 Stub Leads, IPak | |
| Vgs (Máx.) | ±16V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 700 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 130 pF @ 400 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 17.6W (Tc) | |
| Otros nombres | SP001664770 |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
IPD60R2K0PFD7SAUMA1Infineon Technologies
IPSA70R1K2P7SAKMA1Infineon Technologies- IPSA70R1K4P7SAKMA1Infineon Technologies