IPSA70R1K4P7SAKMA1

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Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO251-3
Número de producto base	IPSA70
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	CoolMOS™ P7
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	1.4Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3.5V @ 40µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	4.7 nC @ 400 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs (Máx.)	±16V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	700 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	158 pF @ 400 V
Disipación de energía (máx.)	22.7W (Tc)
Otros nombres	SP001664778 IPSA70R1K4P7S IFEINFIPSA70R1K4P7SAKMA1 2156-IPSA70R1K4P7SAKMA1

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