IPSA70R1K2P7SAKMA1
MOSFET N-CH 700V 4.5A TO251-3
Número de pieza NOVA:
312-2276792-IPSA70R1K2P7SAKMA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IPSA70R1K2P7SAKMA1
Embalaje estándar:
75
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 700 V 4.5A (Tc) 25W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO251-3 | |
| Número de producto base | IPSA70 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | CoolMOS™ P7 | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 900mA, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3.5V @ 40µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 4.8 nC @ 400 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| Vgs (Máx.) | ±16V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 700 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 174 pF @ 400 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 25W (Tc) | |
| Otros nombres | IPSA70R1K2P7S SP001664784 |
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