SIS178LDN-T1-GE3

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Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® 1212-8
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET® Gen IV
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	13.9A (Ta), 45.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	9.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	28.5 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	PowerPAK® 1212-8
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	70 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1135 pF @ 35 V
Disipación de energía (máx.)	3.6W (Ta), 39W (Tc)
Otros nombres	742-SIS178LDN-T1-GE3DKR 742-SIS178LDN-T1-GE3CT 742-SIS178LDN-T1-GE3TR

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