SIS862DN-T1-GE3

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Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® 1212-8
Número de producto base	SIS862
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	40A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	8.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2.6V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	32 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	PowerPAK® 1212-8
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1320 pF @ 30 V
Disipación de energía (máx.)	3.7W (Ta), 52W (Tc)
Otros nombres	SIS862DN-T1-GE3CT SIS862DN-T1-GE3TR SIS862DN-T1-GE3DKR

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