SIS176LDN-T1-GE3
N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Número de pieza NOVA:
312-2285550-SIS176LDN-T1-GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SIS176LDN-T1-GE3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 70 V 12.9A (Ta), 42.3A (Tc) 3.6W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® 1212-8 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® Gen IV | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 12.9A (Ta), 42.3A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 3.3V, 4.5V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 10.9mOhm @ 10A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1.6V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 19 nC @ 4.5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | PowerPAK® 1212-8 | |
| Vgs (Máx.) | ±12V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 70 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1660 pF @ 35 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 3.6W (Ta), 39W (Tc) | |
| Otros nombres | 742-SIS176LDN-T1-GE3TR 742-SIS176LDN-T1-GE3DKR 742-SIS176LDN-T1-GE3CT |
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